Vue Générale du Développement des Diodes Laser

Un laser à semi-conducteur est également appelé un pointeur laser (LD). Dans les années 1980, les gens ont absorbé les dernières avancées en physique des semi-conducteurs, en utilisant de nouvelles structures telles que les puits quantiques (QW) et les puits quantiques déformés (SL-QW), et ont également développé de nouvelles techniques de croissance cristalline telles que MBE, MOCVD et CBE. Ce processus permet au nouveau processus de croissance épitaxiale de contrôler avec précision la croissance des cristaux, d’obtenir une précision de l’épaisseur de couche atomique et de faire croître des puits quantiques de haute qualité et des matériaux de puits quantiques tendus. En conséquence, le courant de seuil du LD produit est considérablement réduit, l'efficacité de la conversion est grandement améliorée, la puissance de sortie est multipliée et la durée de vie est également considérablement allongée.

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Faible puissance

Les LD de petite puissance utilisés dans le domaine des technologies de l’information se développent très rapidement. Par exemple, un système à rétroaction répartie (DFB) et un monomère dynamique pour les systèmes de communication et de commutation optique à fibre optique, le DFB-LD à largeur de raie accordable, les longueurs d’ondes de la lumière visible pour les technologies de traitement de l’information telles que les disques optiques (longueurs d’onde de 670 nm, 650 nm, 630 nm) La lumière rouge à la lumière bleu-vert) LD, le pointeur laser vert à émission de surface à puits quantiques et le LD à impulsions ultracourtes ont tous été considérablement développés. Les caractéristiques de développement de ces dispositifs sont les suivantes: intégration de largeur de raie étroite à une seule fréquence, de débit élevé, de syntonisation et de longueur d’onde courte et intégration monolithique optoélectronique.

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Haute puissance

En 1983, la puissance de sortie d'un LD unique de longueur d'onde supérieure à 800 nm dépassait 100 mW.En 1989, la LD d'une largeur de bande de 0,1 mm atteignait une sortie continue de 3,7 W, tandis que la matrice linéaire linéaire de 1 cm avait atteint 76 W avec un rendement de conversion de 39%. En 1992, les Américains ont élevé l’indice à un nouveau niveau: puissance de sortie de 121W à onde continue et réseau linéaire linéaire de 1 cm, efficacité de conversion de 45%. De nombreux pointeur laser bleu haute puissance avec des puissances de sortie de 120W, 1500W et 3000W sont disponibles. Le développement rapide des LD haute puissance et de leurs réseaux offre également de bonnes conditions pour le développement rapide de lasers entièrement durcis, à savoir des lasers à semi-conducteurs pompés au laser (LDP) à semi-conducteurs.
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